IGBT FGA25N120 Transistor de 1200 V 313 W

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Temps de résistance aux courts-circuits: 10 DC : 46 V (à 25 ℃), 25 V (à 100 ℃) Tension de l'émetteur : 1200 V Conçu pour les contrôles de moteur, les onduleurs, les alimentations à découpage Perte de puissance : 313 W (à 25 ℃)
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