Samsung SSD Interne 860 MZ-76E1T0B/EU | Disque 2,5'' haute vitesse, 1 To - Plus haut niveau de performance en interface SATA III (6 Go/s)

Samsung 860 EVO 1 To 2.5" Série ATA III MLC

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Autres caractéristiques

Date de lancement 12/21/2017
Couleur du produit Noir

Données logistiques

Code du système harmonisé 84717070

Conditions environnementales

Température d'opération 0 - 70 °C
Choc hors fonctionnement 1500 G
Choc durant le fonctionnement 1500 G
Vibrations hors fonctionnement 20 G
Taux d'humidité relative (stockage) 5 - 95%
Humidité relative de fonctionnement (H-H) 5 - 95%
Température hors fonctionnement -45 - 85 °C

Poids et dimensions

Poids 51 g
Largeur 100 mm
Hauteur 69,8 mm
Profondeur 6,8 mm

Puissance

Consommation (max) 4 W
Consommation électrique (Ecriture) 3 W
Consommation électrique (Lecture) 3 W

Caractéristiques

Facteur de forme SSD 2.5"
Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
Type Flash NAND MLC (Multi Level Cell)
Capacité du Solid State Drive (SSD) 1 To
Temps moyen entre pannes 1500000 h
Support S.M.A.R.T. Oui
Support TRIM Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
Type de contrôleur Samsung MJX
Vitesse d'écriture 520 Mo/s
Vitesse de lecture 550 Mo/s
Taux de transfert des données 6 Gbit/s
Le chiffrement matériel Oui
composant pour PC/ordinateur portable
Type de mémoire MLC
Interface Série ATA III

Informations sur l'emballage

Type d'emballage Boîte
Guide de démarrage rapide Oui

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Interface : SATA 6 Go/s (compatible avec SATA 3 Go/s et SATA 1,5 Go/s). Choc: 1 500 G et 0,5 ms (demi-sinus). TRIM pris en charge. Consommation électrique: moyenne: 3,0 W; Maximum: 4,0 W (mode rafale); La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système NAND Type: Samsung V-NAND 3bit MLC Capacité: 1To (la capacité réelle peut être inférieure (une certaine partie de la capacité peut être utilisée par le formatage, le système d’exploitation ou d’autres applications.) Dimensions: 100 X 69.85 X 6.8 (mm) | Forme: 2.5 pouce. Lecture aléatoire (4Ko, QD1):Jusqu'à 10000 IOPS et écriture aléatoire (4Ko, QD1):Jusqu'à 42 000 IOPS (les performances de lecture et d'écriture aléatoires peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système) Jusqu'à 550Mo/s de lecture séquentielle et 520Mo/s d'écriture séquentielle Garantie: 5ans. Température de fonctionnement: 0 - 70℃ Poids Max 50.0g Mémoire cache: 1 Go LPDDR4 Fiabilité (MTBF):Fiabilité de 1,5 million d'heures (MTBF)
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