Samsung 990 EVO 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Fiche technique

Autres caractéristiques

Période de garantie	5 année(s)

Période de garantie

5 année(s)

Conditions environnementales

Température d'opération	0 - 70 °C
Choc hors fonctionnement	1500 G
Vibrations hors fonctionnement	20 G
Taux d'humidité relative (stockage)	5 - 95%
Humidité relative de fonctionnement (H-H)	5 - 95%
Température hors fonctionnement	-40 - 85 °C

Poids et dimensions

Poids	9 g
Largeur	80,2 mm
Hauteur	2,38 mm
Profondeur	22,1 mm

Puissance

Consommation électrique (idle)	0,06 W
Consommation d 'énergie (en mode veille)	0,005 W
Consommation électrique (Ecriture)	4,7 W
Consommation électrique (Lecture)	5,5 W
Tension de fonctionnement	3,3 V

Caractéristiques

Classe TBW	1200
Facteur de forme SSD	M.2
Algorithme de sécurité soutenu	256-bit AES
Version NVMe	2.0
Capacité du Solid State Drive (SSD)	2 To
Temps moyen entre pannes	1500000 h
Support S.M.A.R.T.	Oui
Support TRIM	Oui
Révision CEM PCI Express	4.0
Flux de données d'interface PCI Express	x4
Vitesse d'écriture	4200 Mo/s
Vitesse de lecture	5000 Mo/s
Taille du SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Le chiffrement matériel	Oui
composant pour	Universel
Type de mémoire	V-NAND TLC
NVMe	Oui
Interface	PCI Express 4.0

Informations sur l'emballage

Type d'emballage	Boîte

Type d'emballage

Boîte

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SAMSUNG SSD Interne 990 EVO 2 To NVMe M.2 PCIe 4.0 x 4 - 5000 Mo/s - MZ-V9E2T0BW - Détails

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