Samsung 990 PRO 2 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
SAMSUNG Samsung 990 PRO 2 To, 3 bits TLC V-NAND, M.2 (2280), NVMe 2.0, R/W (max) 7 450 Mo/s/6 900 Mo/s, 1 400 K/1 550 K IOPS, 1200 TBW
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Fiche technique
Conditions environnementales
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Poids et dimensions
| Poids | 9 g |
| Largeur | 80 mm |
| Hauteur | 22 mm |
| Profondeur | 2,3 mm |
Puissance
| Consommation électrique (idle) | 0,055 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 5,5 W |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
Caractéristiques
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Version NVMe | 2.0 |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Fonctions de protection | Résistant à la chaleur |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1550000 IOPS |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1400000 IOPS |
| Vitesse d'écriture | 6900 Mo/s |
| Vitesse de lecture | 7450 Mo/s |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| composant pour | PC |
| Type de mémoire | V-NAND MLC |
| NVMe | Oui |
| Interface | PCI Express 4.0 |
Informations sur l'emballage
| Type d'emballage | Boîte |
SAMSUNG Samsung 990 PRO 2 To, 3 bits TLC V-NAND, M.2 (2280), NVMe 2.0, R/W (max) 7 450 Mo/s/6 900 Mo/s, 1 400 K/1 550 K IOPS, 1200 TBW - Détails
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