Kit de mémoire RAM 128GB Samsung composé de 1x 128GB 4Rx4 PC4-25600 DDR4 3200MHz 1.2 V LRDIMM | M386AAG40AM3-CWE

Samsung M386AAG40AM3-CWE module de mémoire 128 Go 1 x 128 Go DDR4 3200 MHz

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Samsung - DDR4 - module - 128 Go - module LRDIMM 288 broches - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC G

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- DDR4 - module - 128 Go - module LRDIMM 288 broches - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC

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Fiche technique

Données logistiques

Code du système harmonisé 84733020

Caractéristiques

Type de mémoire mise en cache Charge réduite
Support de mémoire 288-pin DIMM
composant pour PC/serveur
Fréquence de la mémoire 3200 MHz
Mémoire de tension 1.2 V
Type de mémoire interne DDR4
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 128 Go
Mémoire interne 128 Go

Kit de mémoire RAM 128GB Samsung composé de 1x 128GB 4Rx4 PC4-25600 DDR4 3200MHz 1.2 V LRDIMM | M386AAG40AM3-CWE - Détails

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